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东芝光耦TLP785GB可直接替代TLP785GB
信息类型:供应
详细介绍:
Features
TLP521-1
TLP785
Manufacturer
Toshiba
Current Transfer Ratio Test Current(mA)
5
Input Type
DC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage(mV)
200(Typ)
Maximum Current Transfer Ratio(%)
600
Maximum Fall Time(us)
N/A
Maximum Forward Voltage(V)
1.3
Maximum Operating Temperature(°C)
85
Maximum Power Dissipation(mW)
250
240
Maximum Reverse Voltage(V)
5
Maximum Rise Time(us)
N/A
Minimum Collector Emitter Voltage(V)
N/A
Minimum Current Transfer Ratio(%)
50
Minimum Forward Voltage(V)
1
Minimum Operating Temperature(°C)
-25
Output Device
Transistor
Packaging
N/A
Screening Level
N/A
Standard
UL
BSI|SEMKO|UL
Typical Fall Time(us)
3
Typical Forward Voltage(V)
1.15
Typical Rise Time(us)
2
最大输入电流(mA)
70
60
最大集电极发射极电压(V)
55
80
最大集电极电流(mA)
50
最小隔离电压(Vrms)
2500
5000
每个芯片的通道数
1
输出类型
DC
详细介绍:
Features
TLP521-1
TLP785
Manufacturer
Toshiba
Current Transfer Ratio Test Current(mA)
5
Input Type
DC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage(mV)
200(Typ)
Maximum Current Transfer Ratio(%)
600
Maximum Fall Time(us)
N/A
Maximum Forward Voltage(V)
1.3
Maximum Operating Temperature(°C)
85
Maximum Power Dissipation(mW)
250
240
Maximum Reverse Voltage(V)
5
Maximum Rise Time(us)
N/A
Minimum Collector Emitter Voltage(V)
N/A
Minimum Current Transfer Ratio(%)
50
Minimum Forward Voltage(V)
1
Minimum Operating Temperature(°C)
-25
Output Device
Transistor
Packaging
N/A
Screening Level
N/A
Standard
UL
BSI|SEMKO|UL
Typical Fall Time(us)
3
Typical Forward Voltage(V)
1.15
Typical Rise Time(us)
2
最大输入电流(mA)
70
60
最大集电极发射极电压(V)
55
80
最大集电极电流(mA)
50
最小隔离电压(Vrms)
2500
5000
每个芯片的通道数
1
输出类型
DC
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警方提示:网上买、卖商品要谨慎小心,以免上当受骗。
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