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STP100N8F6 MOS管 适用于遥控器扭扭车独轮车
信息类型：供应
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STP100N8F6
描述 MOSFET N-CH 80V 100A TO220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 STripFET™ F6
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 5955pF @ 25V
功率 - 最大值 176W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STP100N8F6
描述 MOSFET N-CH 80V 100A TO220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 STripFET™ F6
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 5955pF @ 25V
功率 - 最大值 176W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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