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德国Sglux 碳化硅基紫外光电二极管 SG01M–A18
信息类型:供应
SG01M–A18 碳化硅基紫外光电二极管,感光面积 A = 0.20 mm2,仅用于响应 UVA 波段
◆ 一般特点
SG01M–A18 紫外光电二极管的特性
● UVA波段响应,芯片高稳定性(通过德国PTB认证)
● 感光面积 A = 0,20 mm 2
● TO18密封金属外壳,1绝缘管脚和1接地管脚
● 10μW/cm 2 峰值辐射约生成740 nA电流
关于碳化硅 (SiC) 材料
SiC具有独特的特性,可承受高强度的辐射,对可见光无反应,产生的暗电流低,响应速度块和噪音低。这些特性使得SIC成为制备可见光盲半导体紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以在温度高达170°C (338°F)的环境下长期工作。信号(响应度)的温度系数也很低, < 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流) ,所以能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。
选项
SiC光电二极管有7个不同的感光面积可供选择,从 0,06 mm 2 到36 mm 2 。 标准版本是宽波段UVA-UVB-UVC。四个滤波版本的感光范围相对较小。所有光电二极管都配有密封的金属外壳(TO封装),直径为5,5 mm的TO18外壳或9,2 mm的TO5外壳,配置2只管脚(1绝缘,2接地)或3只管脚(2绝缘,1接地)。
◆ 规格参数
光谱特性
峰值波长处的典型响应度:0.037 AW–1
最大光谱响应度的波长:331 nm
响应波长范围 (S=0.1*S max ):309 ~ 367 nm
可见盲区 (S max /S >405nm ):> 10 10
一般特性 (T=25°C)
感光面积:0.20 mm2
暗电流 (1V反向偏压):0.7 fA
电容:50 pF
短路 (10μW/cm 2 峰值):740nA
温度系数:< 0.1 %/K
最大额定值
工作温度:–55 ~ +170 ℃
储存温度:–55 ~ +170 ℃
焊接温度 (3s):260 ℃
反向电压:20 V
SG01M–A18 碳化硅基紫外光电二极管,感光面积 A = 0.20 mm2,仅用于响应 UVA 波段
◆ 一般特点
SG01M–A18 紫外光电二极管的特性
● UVA波段响应,芯片高稳定性(通过德国PTB认证)
● 感光面积 A = 0,20 mm 2
● TO18密封金属外壳,1绝缘管脚和1接地管脚
● 10μW/cm 2 峰值辐射约生成740 nA电流
关于碳化硅 (SiC) 材料
SiC具有独特的特性,可承受高强度的辐射,对可见光无反应,产生的暗电流低,响应速度块和噪音低。这些特性使得SIC成为制备可见光盲半导体紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以在温度高达170°C (338°F)的环境下长期工作。信号(响应度)的温度系数也很低, < 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流) ,所以能够有效地检测到极低的紫外辐射强度。
选项
SiC光电二极管有7个不同的感光面积可供选择,从 0,06 mm 2 到36 mm 2 。 标准版本是宽波段UVA-UVB-UVC。四个滤波版本的感光范围相对较小。所有光电二极管都配有密封的金属外壳(TO封装),直径为5,5 mm的TO18外壳或9,2 mm的TO5外壳,配置2只管脚(1绝缘,2接地)或3只管脚(2绝缘,1接地)。
◆ 规格参数
光谱特性
峰值波长处的典型响应度:0.037 AW–1
最大光谱响应度的波长:331 nm
响应波长范围 (S=0.1*S max ):309 ~ 367 nm
可见盲区 (S max /S >405nm ):> 10 10
一般特性 (T=25°C)
感光面积:0.20 mm2
暗电流 (1V反向偏压):0.7 fA
电容:50 pF
短路 (10μW/cm 2 峰值):740nA
温度系数:< 0.1 %/K
最大额定值
工作温度:–55 ~ +170 ℃
储存温度:–55 ~ +170 ℃
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