信息类型：供应


特性：
1. 采用碳化硅（SiC）材料
2.       宽频段（UVA+UVB+UVC）
3. 有效探测区域0.2mm2（SG01M-51LENS敏感区域为11.0mm2，可探测非常弱的辐射）
4.       10mW/cm2峰值辐射照度产生约2600nA电流（10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS约140nA）
5.       芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）
关于碳化硅材料（SiC）：
SiC可承受极端辐射硬度，近乎完美的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的独特属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。
SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。
技术参数:
型号
SG01M-18
SG01M-18S
SG01M-18ISO90
SG01M-5LENS
响应率
0.13A/W
0.13A/W
0.13A/W
0.13A/W
波长典型值
280nm
280nm
280nm
280nm
波长范围（S=0.1*Smax）
221-358nm
221-358nm
221-358nm
221-358nm
可见盲区（Smax/S>405nm）
>1010
>1010
>1010
>1010
有效探测区域
0.2mm2
0.2mm2
0.2mm2
0.2mm2（芯片尺寸）11.0mm2(辐射敏感区域)
暗电流（1V反向偏压）
0.7fA
0.7fA
0.7fA
0.7fA
电容
50pF
50pF
50pF
50pF
短路电流（10mW/cm2峰值辐射照度）
约2600nA
约2600nA
约2600nA
（10uW/cm2峰值）约140nA
温度系数
<0.1%/K
<0.1%/K
<0.1%/K
<0.1%/K
操作温度
-55～+170℃
-55～+170℃
-55～+170℃
-55～+170℃
储存温度
-55～+170℃
-55～+170℃
-55～+170℃
-55～+170℃
焊接温度（3S）
260℃
260℃
260℃
260℃
反向电压VRmax
20V
20V
20V
20V
物理特性
采用T018金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地
采用T018金属外壳密封，带小盖帽，1针脚绝缘，1针脚接地
采用T018金属外壳密封，2针脚绝缘，1针脚接地
内置聚光镜，采用T05金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地
应用领域：
       主要用于火焰控制(工业锅炉)，水处理( UV强度的保险)，UV天文(阵列探测)，枪弹跟踪(紫外线照相机)，臭氧和污染物监测，火焰感应(火警安全装置油滴监测)，测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具)，紫外线灯管的紫外线发生强度测试(医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。