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IRFP064NPBF
信息类型：供应
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IRFP064NPBF
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
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配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
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配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
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配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
IRFP064NPBF
IRFP064NPBF
IRFP064NPBF
IRFP064NPBF
IRFP064NPBF
IRFP064NPBF
IRFP064NPBF
IRFP064NPBF
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IRFP064NPBF
IRFP064NPBF
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封装 / 箱体: TO-247-3
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晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
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商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
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晶体管类型: 1 N-Channel
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单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
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封装: Tube
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高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
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晶体管类型: 1 N-Channel
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产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
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封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
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产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
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封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
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