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IPD50N06S4L-08三极管
信息类型：供应
产品详细资料：
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 35μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 64nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4780pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 71W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3-11 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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