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场效应管IRFP250NPBF
信息类型：供应
标准包装 ?
25
类别
分立半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
包装 ?
散装 ?
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
30A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
75 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
123nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
2159pF @ 25V
功率 - 最大值
214W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
标准包装 ?
25
类别
分立半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
包装 ?
散装 ?
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
30A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
75 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
123nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
2159pF @ 25V
功率 - 最大值
214W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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