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RA60H4452M1车载模块 RA60H4452M1性能参数
信息类型：供应
描述
该RA60H4452M1是60-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在440-520-MHz范围.
电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门
电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流漏极和标称输出信号(Pout=60W)衰减到60 dB.输出功率和漏电流增加为
栅极电压升高.输出功率和漏电流大幅增加，与周围0V（最低）栅电压.额定输出功率变为可用状态，在
VGG是4V（典型值），5V（最大）.在VGG=5V,的典型栅极电流5mA.This模块设计用于非线性调频调制，
但也可以用于线性调制通过设置静态漏电流与栅极电压和控制输入与输出功率
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>60W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：440-520MHz
•金属屏蔽结构，使得虚假的改进辐射简单
•低功耗控制电流IGG=5mA (typ) @ VGG=5V
•模块尺寸：67 x 18 x 9.9 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏目前同门电压和输出功率控制与输入功率.
北京京瑞馨科技--供应全新原装正品射频模块、射频管！假一罚十！！！
联系人：何先生
联系电话：182-1045-0337 、010-52459918 010-6492 0890
QQ：5155-2801
网址：www.jrx-tech.com
全新原装正品供应：
三菱（MITSUBISHI）:（HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET）
RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、
RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、
RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1 RD06HHF1、
RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD02MUS2B、
RD01MUS1、RD01MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD系列
三菱（MITSUBISHI）:
RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M
RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1
RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、
RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、
RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、
RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、
RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、
RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、
RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、
RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、
RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、
RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、
RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、
RA01L8693MA等RA系列；
描述
该RA60H4452M1是60-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在440-520-MHz范围.
电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门
电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流漏极和标称输出信号(Pout=60W)衰减到60 dB.输出功率和漏电流增加为
栅极电压升高.输出功率和漏电流大幅增加，与周围0V（最低）栅电压.额定输出功率变为可用状态，在
VGG是4V（典型值），5V（最大）.在VGG=5V,的典型栅极电流5mA.This模块设计用于非线性调频调制，
但也可以用于线性调制通过设置静态漏电流与栅极电压和控制输入与输出功率
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>60W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：440-520MHz
•金属屏蔽结构，使得虚假的改进辐射简单
•低功耗控制电流IGG=5mA (typ) @ VGG=5V
•模块尺寸：67 x 18 x 9.9 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏目前同门电压和输出功率控制与输入功率.
北京京瑞馨科技--供应全新原装正品射频模块、射频管！假一罚十！！！
联系人：何先生
联系电话：182-1045-0337 、010-52459918 010-6492 0890
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全新原装正品供应：
三菱（MITSUBISHI）:（HF/VHF/UHF/900MHz（分立MOSFET）
RD100HHF1、RD70HVF1、RD70HUF2、RD70HHF1、RD60HUF1、RD45HMF1、RD35HUF2、
RD30HUF1、RD30HVF1、RD20HMF1、RD16HHF1、RD15HVF1、RD12MVP1、RD12MVS1、
RD09MUP2、RD07MVS1B、RD07MVS1、RD07MVS2、RD07MUS2B、RD06HVF1 RD06HHF1、
RD05MMP1、RD04HMS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD02MUS2B、
RD01MUS1、RD01MUS2B、RD01MUS2、RD00HHS1、RD00HVS1等RD系列
三菱（MITSUBISHI）:
RA60H4452M1、RA60H4047M1、RA60H3847M1、RA60H1317M1A、RA60H1317M
RA55H4452M、RA55H4047M、RA55H3847M、RA55H3340M、RA45H8994M1
RA45H7687M1、RA45H4452M、RA45H4047M、RA45H4045MR、RA35H1516M、
RA33H1516M1、RA30H4552M1、RA30H4452M、RA30H4047M1、RA30H4047M、
RA30H3340M、RA30H2127M、RA30H1721M、RA30H1317M1、RA30H1317M、
RA30H0608M、RA20H8994M、RA20H8087M、RA18H1213G、RA13H8891MA、
RA13H8891MB、RA13H4452M、RA13H4047M、RA13H3340M、RA13H1317M、
RA08H1317M、RA08N1317M、RA07N4452M、RA07N4047M、RA07N3340M、
RA07M4452MSA、RA07M4452M、RA07M4047MSA、RA07M4047M、RA07M3843M、
RA07M3340M、RA07M2127M、RA07M1317MSA、RA07M1317M、RA07M0608M、
RA07H4452M、RA07H4047M、RA07H3340M、RA07H0608M、RA06H8285M、
RA05H9595M、RA05H8693M、RA03M9595M、RA03M8894M、RA03M8087M、
RA03M4547MD、RA03M4043MD、RA03M3540MD、RA02M8087MD、RA01L9595M、
RA01L8693MA等RA系列；
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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