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查看此店铺所有供求信息 联系人：江海燕 电话：020-85699895 手机：13760815625 地址：广州市天河区中山大道建中路5号广海大厦海天楼1207 服务：  价格： 综合： 营业时间：日常营业 QQ/微信/Skype：  |
详细信息
品牌：INFINEON
封装：TO-263
批号：11+
数量：650
描述：数据列表 IPB60R125CP
产品相片 TO-263
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 25A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2500pF @ 100V
功率 - 最大值 208W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称
IPB60R125CP-ND
IPB60R125CPTR
SP000297368
封装：TO-263
批号：11+
数量：650
描述：数据列表 IPB60R125CP
产品相片 TO-263
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 25A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2500pF @ 100V
功率 - 最大值 208W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称
IPB60R125CP-ND
IPB60R125CPTR
SP000297368
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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