- SPA11N80C3
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查看此店铺所有供求信息 联系人：江海燕 电话：020-85699895 手机：13760815625 地址：广州市天河区中山大道建中路5号广海大厦海天楼1207 服务：  价格： 综合： 营业时间：日常营业 QQ/微信/Skype：  |
详细信息
品牌：INFINEON
封装：TO-220F
批号：11+
数量：989
描述：数据列表 SPA11N80C3
产品相片 TO-220AB
标准包装 500
类别 分立半导体产品
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 11A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 680μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1600pF @ 100V
功率 - 最大值 41W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 PG-TO220-FP
包装 管件
其它名称
SP000216320
SPA11N80C3IN
SPA11N80C3X
SPA11N80C3XK
SPA11N80C3XTIN
SPA11N80C3XTIN-ND
封装：TO-220F
批号：11+
数量：989
描述：数据列表 SPA11N80C3
产品相片 TO-220AB
标准包装 500
类别 分立半导体产品
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 11A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 680μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1600pF @ 100V
功率 - 最大值 41W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 PG-TO220-FP
包装 管件
其它名称
SP000216320
SPA11N80C3IN
SPA11N80C3X
SPA11N80C3XK
SPA11N80C3XTIN
SPA11N80C3XTIN-ND
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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