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详细信息
品牌：INFINEON
封装：TO-220
批号：10+
数量：169
描述：数据列表 IPP60R125CP
产品相片 TO-220-3
标准包装 500
类别 分立半导体产品
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 25A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2500pF @ 100V
功率 - 最大值 208W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装 管件
其它名称
IPP60R125CPX
IPP60R125CPXK
SP000088488
封装：TO-220
批号：10+
数量：169
描述：数据列表 IPP60R125CP
产品相片 TO-220-3
标准包装 500
类别 分立半导体产品
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 25A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2500pF @ 100V
功率 - 最大值 208W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装 管件
其它名称
IPP60R125CPX
IPP60R125CPXK
SP000088488
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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