深圳市利嘉半导体有限公司

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• 深圳市利嘉半导体有限公司
• SBC846ALT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 22+ 
• 342000 
• VCEO=-150V,高压PN
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• SMMBT5401LT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 23+ 
• 52000 
• "FCA20N60"600V，
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FCA20N60
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 19+ 
• 9000 
• 650V，10A，360mΩ，
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FCU360N65S3R0
• 美国安森美半导体 
• TO-251 
• 20+ 
• 9000 
• 500V,19A,265mΩ,
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDA18N50
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 18+ 
• 7200 
• 100V,2mΩ,300A,N
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDBL86062-F085
• 美国安森美半导体 
• TO-LL 
• 22+ 
• 4000 
• 800V,12.6A,750m
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FQA13N80-F109
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 18+ 
• 10800 
• 200V，32mΩ，65A，N
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FQA65N20
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 20+ 
• 3600 
• 60V,0.31A,N沟道小信
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• 2N7002ET1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 23+ 
• 685000 
• 60V,0.38A,N沟道小信
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• 2N7002KT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 22+ 
• 297000 
• 60V,0.115A,N沟道小
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• 2N7002LT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 23+ 
• 480000 
• 小信号MOSFET,60V,3
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• 2V7002KT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 22+,23+ 
• 990000 
• 24V,10A,11.6mΩ,
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• ECH8697R-TL-W
• 美国安森美半导体 
• SOT-28 
• 22+ 
• 357000 
• "24V,9A,18mOhm,
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• EFC4621R-TR
• 美国安森美半导体 
• EFCP1616-4 
• 22+ 
• 565000 
• 600V,380mΩ,10.2
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FCD380N60E
• 美国安森美半导体 
• TO-252-3 
• 23+ 
• 50000 
• 650V，30A，99mΩ，N
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FCP099N65S3
• 美国安森美半导体 
• TO-220-3 
• 21+ 
• 12800 
• 500V，265mΩ，19A，
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDA18N50
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 21+ 
• 33750 
• 500V，24A，200mΩ，
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDA24N50F
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 21+ 
• 30600 
• 250V，69A，41m?，N
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDA69N25
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 23+ 
• 14400 
• 150V，6.4mΩ，130A
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDB0630N1507L
• 美国安森美半导体 
• D2PAK-263 
• 21+ 
• 28800 
• 40V，0.95mΩ，300A
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDBL9403-F085T6
• 美国安森美半导体 
• HPSOF-8L 
• 21+ 
• 20000 
• 40V，6.7mΩ，50A，N
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDD8453LZ
• 美国安森美半导体 
• TO-252-3 
• 23+ 
• 85000 
• 30V,116A,5.1mΩ,
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDD8874
• 美国安森美半导体 
• TO-252-3 
• 22+ 
• 135000 
• P沟道功率MOSFET，-10
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDMS86163P
• 美国安森美半导体 
• QFN 
• 22+ 
• 33000 
• 80V,122A,3.9mΩ,
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDMS86300
• 美国安森美半导体 
• PowerTDFN- 
• 22+ 
• 24000 
• 60V，3.4mΩ，129A单
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDMS86540
• 美国安森美半导体 
• QFN-8 
• 23+ 
• 99000 
• 80V,254A,1.35mΩ
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDMT80080DC
• 美国安森美半导体 
• PQFN-8 
• 23+ 
• 21000 
• 80V，3.3mΩ，211A，
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDP032N08B-F102
• 美国安森美半导体 
• TO-220-3 
• 23+ 
• 68800 
• 20V双N沟道逻辑电平 Pow
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDS6898A
• 美国安森美半导体 
• SOIC-8 
• 22+ 
• 70000 
• 25V,680mA,450mΩ
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FDV303N
• 美国仙童半导体 
• SOT-23-3 
• 23+ 
• 342000 
• 输出电流为3A的高速MOSFE
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