- TK20A60U
- 参考价格：1 RMB
- 发布者：597204924
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查看此店铺所有供求信息 联系人：连焌烺 电话：0755-82716535 手机：15118133175 地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座14Q室 服务：  价格： 综合： 营业时间：全年营业 QQ/微信/Skype： |
详细信息
品牌：Toshiba
封装：DIP
批号：18+
数量*：10000
描述：TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
封装: Tray
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK20A60U
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 12 ns
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 50
封装：DIP
批号：18+
数量*：10000
描述：TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
TK20A60U
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
封装: Tray
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK20A60U
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 12 ns
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 50
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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