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描述：GD25Q128ESIG 兆易贴片SOP8 FLASH存储器芯片 GD闪存代烧录
特征：GD25Q128ESIG
◆ 128M 位串行闪存 ◆ 快速编程/擦除速度
- 16M 字节 - 页编程时间：0.5ms（典型值）
- 每个可编程页面 256 字节 - 扇区擦除时间：典型值为 45 毫秒
- 块擦除时间：0.15s/0.25s 典型
◆ 标准、双、四 SPI - 芯片擦除时间：典型值 50s

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